Labortagebuch Dezember 2010
15.12.10: Innenleben eines Passiv-IR-Sensors
Diesen
Sensor wollte ich öffnen, um die Filterscheibe herauszunehmen. Das
Ziel war, den Sensor als Bolometer für Leistungsmessungen in einem
weiten Spektralbereich einzusetzen. Leider wurde der Sensor beim
Öffnen beschädigt. Aber jetzt kann man gut sehen, wie er
aufgebaut ist. Eingebaut ist ein Feldeffekttransistor ähnlich wie
in einem Elektret-Mikrofon.
Darüber war eine teilweise metallisierte Keramikscheibe
angebracht, die jetzt zerbrochen ist. Durch kleine
Temperaturunterschiede wird eine Spannung erzeugt und vom FET
verstärkt. Das Prinzip habe ich schon mal in der ELO (Infrarotsensor im Eigenbau)
beschrieben. Hinter der Gehäuseöffnung war eine Filterscheibe
angebracht, die nur die passende Wellenlänge im Bereich um 10
µm durchlassen sollte. Hier sieht man links die Sensorscheibe und
rechts einen Teil der Filterscheibe.
8.12.10 Dual-Gate-MOSFET BF1009SW
Diesen
Transistor habe ich mir bei Pollin mitbestellt - weil er so preiswert
war. Spannend finde ich die automatische Vorspannung am Gate 1 und die
hohe Steilheit von 24 mS. Beim ersten Test hatte ich allerdings
Probleme. Längeres Probieren förderte eine andere
Pinorientierung als im Datenblatt zu Tage. Danach aber konnten die
guten Werte bestätigt werden. Die G1-Vorspannung wird
anscheinend automatisch auf ca. 1 V eingestellt, deshalb kan man ein
Signal einfach mit einem Kondensator einkoppeln.
Inzwischen
ist mir klar geworden, dass die Transistoren eine Sonderform des BF1009
sind. Die Anschlüsse sind sozusagen nach oben umgebogen. Deshalb
sind die Pinne links und rechts vertauscht. Das SW im Typennamen soll
dies wohl andeuten.
Jetzt,
wo ich weiß, dass man die beiden letzten Buchstabe nicht
ignorieren darf, habe ich noch mal nach einen Datenblatt gesucht.
Und darin hat sich die gefundene Pinbelegung bestätigt.
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